UG环球客户端:Micro-LED有望成为表现产业新风口 局限化商用仍有诸多题目待解

新2备用网址/2020-07-03/ 分类:科技/阅读:

日提高行的2019第三届中国(国际)Micro-LED表现岑岭论坛透露生产业成长的新特点。对付Micro-LED表现产业化题目,专家以为,起首应成长对比LCD或OLED更具上风的规模,

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,首要针对TV、可穿着装备、车载等运用场景,以及合用于柔性透明的运用场景。估量来岁最先会有更多产物呈现。但局限化商用仍有诸多题目必要办理。

成长势头精采

Micro-LED是LED微缩化和矩阵化技能,即将LED背光源举办薄膜化、细小化、阵列化,与OLED一样可以或许实现每个图元单独定址,单独驱动发光(自觉光)。芯片尺寸方面,Micro-LED一样平常小于50微米,小间距LED在500微米阁下。作为Micro-LED的过渡,Mini-LED介于50微米到200微米之间。

依附诸多优秀表现机能,Micro-LED被以为是下一代表现技能的有力竞争者。包罗功耗低、亮度高、超高理会度、高色彩饱和度、相应速率快、比拟度高、可视角度宽、自觉光和行使寿命长。理论上,Micro-LED的功耗约为LCD的10%、OLED的50%。基于这些优秀机能,Micro-LED有望在穿着式终端、智妙手机、AR、VR、车载表现、电视和大型表现的应用上施展上风。

自2012年索尼在CES上推出首个Micro-LED产物(TV)以来,三星、华星光电、康佳、天马、LG等都相继秀出自家Micro-LED产物。Micro-LED产业渐渐升温。据不完全统计,近几年来,外洋初创Micro-LED公司不绝涌现,且几大互联网企业如苹果、Google、Facebook都已参与;同时,京东方、华星光电、熊猫、维信诺、友达光电和群创光电等表现面板企业,三安、乾照、华灿等LED芯片企业,国星、雷曼、瑞丰和联电等LED封装企业纷纷插手。

业界以为Micro-LED将在5G期间施展更大浸染。中国科学院院士、南京大学物理系传授郑有炓先容,Micro-LED将支持5G+8K和5G+VR/AR终端表现的新要求。跟着量产技能的打破,Micro-LED表现有望成为5G信息期间终端表现的主流技能。

友达光电前瞻技能研究中间资深协理林雨洁暗示,5G和AIOT期间光降,对表现器产业带来了很大攻击,但这种攻击是良性刺激。资讯转达速率越来越快,对承载硬件的要求越来越高。新应用不绝呈现,为表现器带来各类百般应用的也许。

切磋产业化之路

Micro-LED表现技能被视为表现技能成长的新风口,但其高本钱、要害技能等方面的题目仍待打破,Micro-LED技能大局限产业化仍需时刻。

工信部电子信息司处长王威伟以为,产业化必要掌握好三个原则。起首,技能选摘要尽早听从产业化需求。“从CRT到液晶,其时并不以为液晶技能最优,但20年已往液晶产业成长起来了。因此,产业化未必最先就用最优的技能。”其次,产业化进程中要有技能迭代的手段和资本。“假如技能好,但投入本钱重大,没有一连的迭代手段,这项技能难以产业化。”第三,找准今朝可以产业化的偏向。“背显和大尺寸是今朝Micro-LED相对看得清的细分偏向。芯片制造、原料、模组、面板等相干企业要在确定的方针上配合切磋产业化之路。环绕方针,尽早推出商品,而不只仅是产物。”

多位专家和企业代表以为,思量到Micro-LED不能更换性上风,大尺寸和小尺寸也许更得当率先产业化。大尺寸Micro-LED表现器方面,聚焦5G+8K、5G+IOT+CC+AI激发的新需求以及电视机大尺寸、超高清、智能化的成长趋势;小尺寸Micro-LED表现器方面,聚焦5G+AR/VR表现终端需求,成长便携式终端AR、VR、智妙手表以及阳光环境中行使的车载等昂首表现应用。

郑有炓暗示,2012年以来,相继推出了高阶高端样机和产物,并接管订货。但消费者承担得起的高阶高端产物才有市场远景。5G+AR/VR作为下一代信息技能成长的风口,作为其生态圈终端微表现,对Micro-LED微表现产业成长起着很大的敦促浸染。Micro-LED微表现颠末10多年的研发,产业化技能蹊径最先清朗。连年来,浩瀚研究部分和企业不绝推出样品样机,且表现业界巨头高调投入,抢占先机。

镎创科技首创人&实行长李允立以为,Micro-LED短时刻代替LCD可能OLED不是公道偏向,应该思量从后者很难做到的规模切入。Micro-LED的布局相对简朴,在柔性表现和透明昭示等方面具备上风。

另外,可以在机能要求高但本钱敏感度相对低的应用规模入手,好比车载表现。

面对诸多挑衅

中国证券报记者从峰会现场相识到,Micro-LED的产业化之路并不轻易。有概念以为还必要2-3年时刻,也有人以为必要3-5年时刻。这与Micro-LED表现产业仍要办理的诸多题目亲近相干。

巨量转移(包罗转达、搜查、测试、修复)是建造Micro-LED表现屏的要害技能。传统的LED在封装环节,首要回收真空汲取的方法举办转移。因为真空管在物理极限下只能做到约莫80微米,而Micro-LED的尺寸根基小于50微米,以是真空吸附的方法在Micro-LED期间不再合用。今朝,Micro-LED的巨量转移技能包罗精准抬放技能(分为静电力、凡德瓦力、磁力)、自组装技能、选择性开释技能、转印技能和COB技能。

巨量转移存在两大挑衅:Micro-LED芯片在举办大量、多次转移时的良率必需到达99.9999%,精准度节制在±0.5微米以内;RGB全彩表现必要对红、蓝、绿芯片别离转移,要求精准定位灯珠。好比,量产判别率为FHD(全高清)的Micro-LED屏幕,必要1920*1080个像素,也就是200万个像素。而每个像素由R、G、B三个Micro-LED芯片构成,必要600万颗Mciro-LED。一块屏幕必要600万颗微米级此外LED芯片等。

巨量转移技能不足成熟会影响产物的良率和转移遵从,进而推高制造本钱。这也是今朝少数大尺寸Micro-LED产物售价振奋的缘故起因。本钱下不来,Micro-LED的量产就会很艰巨。同时,因为存在多个巨量转移技能,企业面对选择题目。

其他痛点还包罗:LED芯片要做得很是小(越小遵从越高),且要确保每一颗芯片的光电机能都一样;三基色Micro-LED的像素光源题目。今朝首要回收蓝光+荧光粉的办理方案,必要办理红光题目;三基色Micro-LED的像素组装尺寸微米化受限,难以实现超高密度封装等。

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